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  • MOS場效應管參數規格書如何看
    • 發布時間:2024-09-19 20:45:23
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    MOS場效應管參數規格書如何看
    描述:MOSFET的最大允許電壓。參數:額定電壓 - VR (Voltage Rating)
    描述:MOSFET在正常工作條件下能夠承受的最大電流。參數:額定電流 - IR (Current Rating)
    描述:MOSFET在導通狀態下,源極和漏極之間的電阻值。導通電阻的大小直接影響MOSFET的功耗和發熱。參數:導通電阻 - RON (On-Resistance)
    描述:MOSFET的開關轉換時間,包括開啟時間和關閉時間。開關速度對于高頻應用至關重要。參數:開關速度 - TON, TOFF (Switching Time)
    描述:MOSFET開始導通的最低電壓。閾值電壓越低,器件的開關速度越快。參數:閾值電壓 - VTH (Threshold Voltage)
    描述:MOSFET在雪崩效應發生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數:雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
    描述:MOSFET內部芯片的最高工作溫度。結溫過高可能導致器件性能下降或損壞。參數:結溫 - TJ (Junction Temperature)
    描述:MOSFET柵極與源極之間的電容。輸入電容的大小影響開關速度和驅動能力。參數:輸入電容 - Ciss, Cgs (Input Capacitance)
    描述:MOSFET漏極與源極之間的電容。輸出電容的大小影響開關速度和驅動能力。參數:輸出電容 - Coss, Cds (Output Capacitance)
    描述:MOSFET柵極與漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關速度和信號質量。參數:反向傳輸電容 - Crss, Cgd (Reverse Transfer Capacitance)
    漏源電壓(VDS):MOSFET的漏極和源極之間的電壓。漏源電壓是MOSFET能夠承受的最大電壓,超過此電壓可能導致器件損壞。
    漏源電流(IDS):流過MOSFET漏極和源極之間的電流。漏源電流的大小直接影響MOSFET的功耗和發熱。
    柵源電壓(VGS):加在MOSFET柵極和源極之間的電壓。柵源電壓控制MOSFET的開關狀態,從而影響漏源電流的通斷。
    驅動電壓(VDRV):驅動電路提供的電壓,用于控制MOSFET的柵源電壓。驅動電壓的大小和穩定性影響MOSFET的開關性能和可靠性。
    動態電阻(Ron):在導通狀態下,MOSFET的漏源電阻隨漏源電流的變化而變化。動態電阻越小,表示MOSFET的導電性能越好。
    反向傳輸電容(Cgd):MOSFET的柵極和漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關速度和信號質量。
    導通電阻(Ron):是指當MOSFET處于導通狀態時,從源極到漏極的導通電阻。導通電阻越小,表示MOSFET在導通狀態下有更好的導電能力,能夠傳輸更大的電流,也能提供更低的功耗。
    泄漏電流(Igss):是指MOSFET在關閉狀態下的漏電流。泄漏電流應盡可能小,以確保在關閉狀態下無功率損失。
    閾值電壓(Vth):是指MOSFET開始導通的電壓。
    最大漏源電流(ID):是指MOSFET正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過ID。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。
    最大脈沖漏源電流(IDM):此參數會隨結溫度的上升而有所減額。
    最大柵源電壓(VGS):是指MOSFET正常工作時,加在柵極和源極之間的最大電壓。
    漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):是指柵源電壓VGS為0時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。
    開啟電壓(VGS(th)):當外加柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時,漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中,常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。
    耗散功率(PD):是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額。
    最大工作結溫(Tj):通常為150℃或175℃,器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度,并留有一定裕量。
    MOS場效應管參數
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