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    • 發布時間:2024-08-03 18:45:49
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    MOS管,IGBT米勒平臺的解析
    米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關,當GE之間電壓大于閾值點的時候,管子的CE電壓開始下降,但是下降的速度十分緩慢,而C點的電位變化,帶動了GE之間電壓不在上升,或者這樣理解,Ige的驅動電流,基本都被用來給GC之間的節電容充電,至于為何一直充不滿,個人的理解如下。
    MOS管 IGBT米勒平臺
    第一種理解:C點的電位變化,起始為450V,也就是第一零點水位,當C點水位電壓下降,下降到需要補充水的時候,或者可以認為一邊下降,一邊增加抽取水(電流)的能力,也有說是此電容在變大,也可以這樣理解。
    第二種理解:此階段,CE之間的電阻在變小,為何變小可以查閱模擬電路,GE電壓增大的時候,PN結的夾斷寬度變寬,同流能力增強,也就是所謂的電導調制效應,所以MOS、IGBT才能做到功率大,損耗小。
    MOS管 IGBT米勒平臺
    在米勒平臺時期,電壓迅速下降,電流快速上升,當C點電位下降接近0V時,GC之間電容所抽取的能量電流減弱,Vge增大至驅動電壓。在米勒尾端到驅動電壓幅值點,Vgc實際也在減小,只是幅度非常小,同樣的Ic電流也十分微弱的增大。
    驅動電壓一段時間不再上升,此時Id已經達到最大,而Vds還在繼續下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅動電壓的值,此時MOSFET進入電阻區,此時Vds徹底降米勒效應的影響:MOSFET的柵極驅動過程,可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;
    當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態;當MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區;但由于米勒效應,Vgs會持續下來,開通結束。
    MOS管 IGBT米勒平臺
    由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs上升,則導通電阻下降,從而Vds下降)
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