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  • MOS管的基礎特性和實際應用介紹
    • 發布時間:2024-07-20 18:11:44
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    • 閱讀次數:
    MOS管的基礎特性和實際應用介紹
    一、MOS管的基礎特性
    (1)MOS管有柵極G,漏極D,源極S;
    (2)PMOS管(類似于PNP),低電平導通,高電平截止;
    MOS管 基礎特性
    PMOS管
    (3)NMOS管(類似于NPN),高電平導通,低電平截止。
    MOS管 基礎特性
    NMOS管
    二、MOS管的開關特性應用
    1、阻斷VCC端
    用于阻斷VCC端,使用PMOS管,且源端S接VCC端。
    使用Multisum仿真,效果如下:
    (1)G極接低電平
    MOS管 基礎特性
    (2)G極接高電平
    MOS管 基礎特性
    2、阻斷GND端
    用于阻斷GND端,使用NMOS管,且源端S接GND端。
    使用Multisum仿真,效果如下:
    (1)G極接低電平
    MOS管 基礎特性
    (2)G極接高電平
    MOS管 基礎特性
    三、MOS管的實際應用
    (1)替換三極管
    因MOS管沒有結點電壓,三極管有0.3V的CE極結點電壓,故常用于替換三極管,做信號端控制。
    (2)用于低功耗電路的電源輸出控制
    在做電池供電類的低功耗產品時,對于主控休眠時,
    MOS管 基礎特性
    電源控制
    需要對不工作的電路部分,進行斷電,來減少電量損耗。
    如遙控器不操作時,芯片休眠,且斷開對射頻部分的供電。
    (3)用于防反接電路
    MOS管 基礎特性
    防反接
    防止電路中,VCC與GND接反,導致電路燒壞。
    (4)用于推挽輸出
    MOS管 基礎特性
    推挽輸出
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