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  • p溝道m(xù)os管原理,開關(guān)電路介紹
    • 發(fā)布時間:2024-07-10 16:40:43
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    p溝道m(xù)os管原理,開關(guān)電路介紹
    p溝道m(xù)os管原理
    P溝道MOS管開關(guān)電路
    上圖是兩種P溝道MOS管開關(guān)電路應(yīng)用:其中第一種NMOS管為高電平導通,低電平截斷,Drain端接后面電路的接地端;第二種為P溝道MOS管開關(guān)電路,為高電平斷開,低電平導通,Drain端接后面電路的VCC端。
    P溝道MOS管開關(guān)電路工作原理
    金屬氧化物半導體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為銜接源極和漏極的溝道。
    改動柵壓可以改動溝道中的電子密度,從而改動溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上恰當?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
    什么是P溝道MOS管
    PMOS是指n型襯管底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。
    P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。
    它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。
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