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  • MOSFET功率損耗,MOSFET的傳導損耗介紹
    • 發(fā)布時間:2023-07-15 16:55:51
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):451
    MOSFET功率損耗,MOSFET的傳導損耗介紹
    MOSFET 作為開關(guān)元件,導通時電流流過圖 1 中的回路 1,斷開時無電流流過。因此,MOSFET 的功率損耗主要由傳導損耗和開關(guān)損耗組成。
    MOSFET 傳導損耗
    MOSFET 的傳導損耗
    MOSFET 的傳導損耗(PCOND_MOSFET)近似等于導通電阻(RDS_ON)、占空比(D)和導通時 MOSFET 的平均電流(IMOSFETAVG)的平方的乘積。 
    即:
    PCOND_MOSFET = IMOSFET_AVG2*RDSON*D
    上式給出了開關(guān)電源中 MOSFET 傳導損耗的近似值,但它只作為電路損耗的估算值,因為電流線性上升時所產(chǎn)生的功耗大于由平均電流計算得到的功耗(見下方證明)。
    對于“峰值”電流,更準確的計算方法是對電流峰值和谷值(圖 2 中的 IV和 IP)之間的電流波形的平方進行積分得到估算值。
    MOSFET 傳導損耗
    圖 2 MOSFET 電流波形
    下式給出了更準確的估算損耗的方法,利用 IP和 IV之間電流波形平方的積分替代簡單的平均電流計算的功耗。
    MOSFET 傳導損耗
    也就證明了電流線性上升所產(chǎn)生的功耗大于由平均電流計算得到的功耗!
    當然也可以用圖 2 中的實例分別計算兩種估算公式的結(jié)果:
    例如:如果 Iv為 0.25A,IP為 1.75A,RDS(ON)為 0.1Ω,VOUT為 VIN/2,即 D = 0.5,基于平均電流(1A)的計算結(jié)果為:
    MOSFET 傳導損耗
    因此,可以得出一般結(jié)論:對于峰均比較小(即電流紋波率)的電流波形,兩種計算結(jié)果的差別很小,利用平均電流計算即可滿足要求。
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