大家都知道MOS管屬于電壓控制型元器件。即在MOS管的柵極加上電壓時(shí)，當(dāng)柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時(shí)，MOS管即可導(dǎo)通（不能大太多，否則會(huì)燒毀）。當(dāng)源極電壓確定后，我們可以通過(guò)控制柵極電壓實(shí)現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通與截止，這樣也就實(shí)現(xiàn)了MOS管漏極或者柵極負(fù)載的開(kāi)與關(guān)。
1、NMOS管
源極接地，柵源極電壓等于柵極電壓，此時(shí)我們?cè)跂艠O電壓處加上PWM，即可實(shí)現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通與截止，導(dǎo)通時(shí)，發(fā)光二極管正常工作。截止時(shí)，發(fā)光二極管停止工作。
發(fā)光二極管不接在柵極處，原因，此時(shí)不方便判斷柵源電壓。通常在NMOS管做開(kāi)關(guān)，負(fù)載接在漏極。
2、PMOS管
源極接電壓，柵極接PWM。柵源電壓大于Vgs(th)時(shí)，MOS管導(dǎo)通。發(fā)光二極管工作。當(dāng)柵源電壓小于Vgs(th)時(shí)，MOS管截止，發(fā)光二極管停止工作。
發(fā)光二極管不接在源極，因?yàn)闊o(wú)法判斷源極電壓。沒(méi)有直接接在漏極方便。
總之做開(kāi)關(guān)時(shí)，負(fù)載接在漏極。
在一些場(chǎng)景下，電路還會(huì)進(jìn)行軟啟動(dòng)的設(shè)計(jì)。
即如下所示：
電阻R與C構(gòu)成了軟啟動(dòng)的作用。
軟啟動(dòng)使得MOS管柵極上電較更為平緩，同時(shí)時(shí)間增加。
如下為其他項(xiàng)目用到延時(shí)與否的對(duì)比。
軟啟動(dòng)
非軟啟動(dòng)
可以看到軟啟動(dòng)效果更加優(yōu)于不加軟啟動(dòng)措施，所以軟起動(dòng)的設(shè)計(jì)，在MOS管做開(kāi)關(guān)時(shí)也是尤為重要。
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