MOS管基本驅(qū)動(dòng)電路
如下所示為MOS管最為基本的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，R1為限流電阻，來限制柵極在剛開始時(shí)的充電電流大小，電阻的加入會(huì)使得MOS開啟速度減慢，但是可以減小EMC風(fēng)險(xiǎn)。
R2電阻是放電電阻，一是當(dāng)系統(tǒng)未加電控制時(shí)，該電阻可以泄放積累在柵極的電荷，防止靜電擊穿；二是當(dāng)G極驅(qū)動(dòng)為低電平時(shí)，泄放G極電荷，使得G極快速的變?yōu)?電位。
這種驅(qū)動(dòng)方式在實(shí)際中很常見，多見于直接使用控制器來驅(qū)動(dòng)的方式，也是最為實(shí)用的驅(qū)動(dòng)方式。
驅(qū)動(dòng)邏輯就是高電平驅(qū)動(dòng)開啟MOS管；低電平驅(qū)動(dòng)關(guān)閉MOS管。
推挽電路驅(qū)動(dòng)，推挽電路驅(qū)動(dòng)主要是在需要外部電源時(shí)我們使用的，需要使用兩個(gè)三極管，請(qǐng)注意必須要NPN和PNP才可以。
高電平時(shí)，上管NPN開啟，下管PNP關(guān)閉；此時(shí)MOS管狀態(tài)為驅(qū)動(dòng)開啟；
低電平時(shí)，上管NPN關(guān)閉，下管PNP開啟，此時(shí)MOS管狀態(tài)為驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。
但是實(shí)際需要考慮晶體管完全開啟時(shí)的Vce電壓。
MOS管基本使用電路
上圖是四種MOS管的使用電路，按使用環(huán)境的不同，一般有四種接法。
如圖1，這是N管的最常用的一種電路，N管S端接地，D端接負(fù)載。則當(dāng)G端信號(hào)電壓大于GND+Vgs的時(shí)候，mos開啟，當(dāng)信號(hào)電壓小于GND+Vgs時(shí)關(guān)閉。R1電阻使無外加信號(hào)時(shí)mos處于關(guān)閉狀態(tài)。
如圖2，這是P管通常使用的接法。P管S端接Vcc，D端接負(fù)載。則當(dāng)G端信號(hào)電壓小于VCC-Vgs的時(shí)候，mos開啟，當(dāng)信號(hào)電壓大于VCC-Vgs時(shí)關(guān)閉。
以上兩圖中N管和P管的接法是通常電路中最常用的接法，也是mos管的普遍使用方法，如無特殊情況，MOS管在電路中就是按這兩種接法使用。下面圖3和圖4的使用接法則在一些特殊場合中會(huì)使用的，而且驅(qū)動(dòng)方式也較為特殊。
如圖3，此種N管的接法通常在開關(guān)電源中會(huì)出現(xiàn)。
其特殊之處在于當(dāng)MOS閉合的情況下，Vs=GND,所以信號(hào)電壓只要大于Vs+Vgs，MOS就能打開，但是當(dāng)MOS打開以后，則 Vs=Vcc，那么信號(hào)電壓就必須大于Vcc+Vgs才能讓MOS保持繼續(xù)打開。
所以一般電路中很少使用，在開關(guān)電源電路中，則使用一個(gè)自舉電路來抬高信號(hào)端的電壓。
如圖4，此電路很少用到，因?yàn)楫?dāng)mos導(dǎo)通以后，Vs=GND,則信號(hào)電壓要小于GND-Vgs才能使得mos保持導(dǎo)通，所以信號(hào)電壓要給一個(gè)負(fù)電壓，電路更為麻煩，所以更少使用。
注：Vgs是mos管的最低開啟電壓，每個(gè)MOS管的規(guī)格書上有標(biāo)明。
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