一.MOSFET與IGBT的區(qū)別
從結(jié)構(gòu)上來講，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET的區(qū)別在于MOSFET 的襯底為N型，IGBT的襯底為P型；從原理上說IGBT相當于一格MOSFET與BIpolar的組合，通過背面P型層空穴降低器件的導(dǎo)通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流問題，從產(chǎn)品上來說，IGBT一般用在高壓功率產(chǎn)品上，從600V到幾千伏都有，MOSFET應(yīng)用電路則從十幾伏到一千左右，結(jié)構(gòu)如下圖所示：
工作原理的區(qū)別：
對于MOSFET 來說，僅由多子承擔(dān)的電荷運輸沒有任何存儲效應(yīng)，所以很容易實現(xiàn)極端的開關(guān)時間。PowerMosfet的開關(guān)的高頻特性十分優(yōu)秀，所以可以用在高頻場和，在低電壓工作狀態(tài)下，開關(guān)管動作損耗遠低于其他組件，但是缺點是在高壓狀態(tài)下，壓降高，并且隨著電壓等級的增大，導(dǎo)通電阻也變大。因而其傳導(dǎo)損耗比較大，尤其是在高電壓應(yīng)用場合。IGBT是其耐壓比較高，壓降低，功率可以達到5000w,IGBT開關(guān)頻率在40-50k之前，開關(guān)損耗也比較高，并且會出現(xiàn)擎柱效應(yīng)。
驅(qū)動電路的對比：
驅(qū)動電路兩種其實差的不是很多，只是IGBT輸入電容要比MOS大，因此需要更大電壓驅(qū)動功率。總之，MOS一般在高頻且低壓的場合應(yīng)用（即功率<1000W及開關(guān)頻率>100kHZ）,而IGBT在低頻率高功率的場合表現(xiàn)較好。
二.BJT與MOSFET的區(qū)別
1.三極管是電流型器件，MOSFET是電壓型器件。
2.三極管功耗大（極大的限制了三極管在集成電路中的應(yīng)用），場效應(yīng)管功耗小（集成電路中廣泛應(yīng)用）。
3.場效應(yīng)管柵極基本不取電流，而三極管的基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的輸入電阻要比三極管的輸入電 阻要高。
4.三極管導(dǎo)通電阻大，場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小，只有幾百毫歐，在現(xiàn)在的用電器件上，一般用場效應(yīng)管用作開關(guān)，效率 還算比較高的。
5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)都很小的，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比高的電路中要選擇場效應(yīng)管。
6.三極管是雙極性的（內(nèi)部導(dǎo)電方式：空穴和載流子），場效應(yīng)管是單極性的（空穴or載流子）。
應(yīng)用場合：三極管比較便宜，用起來比較方便，常用在數(shù)字電路中。MOS常用于高速高頻電路、大電流場合，以及對基極和漏極控制電流比較敏感的場合，一般來說，成本場合，普通應(yīng)用先采用三極管，不行的話再 使用MOS管。
總之在使用場合中，BJT的成本是最低的，MOSFET適用于高速高頻的場合，IGBT適用的場合為高壓大電流場合。
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