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  • MOS管基本驅動電路詳解
    • 發布時間:2021-09-13 18:19:11
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    MOS管基本驅動電路詳解
    MOS管與晶體管的差異:
    雙極晶體管:要在集電極中產生電流,必須在基極端子和發射極端子之間施加電流。
    MOSFET:在柵極端子和源極端子之間施加電壓時,MOSFET 在漏極中產生電流。MOSFET 的柵極是一層二氧化硅。由于該柵極與源極隔離,向柵極端子施加直流電壓理論上不會在柵極中產生電流(在柵極充電和放電的瞬態產生的電流除外)。
    實踐中,柵極中會產生幾納安的微弱電流
    當柵極端子和源極端子之間無電壓時,由于漏源極阻抗極高,因此漏極中除泄漏電流之外無電流。
    MOS管基本驅動電路
    MOS管特性:
    由于 MOSFET 是電壓驅動器件(G極加電壓控制電流),因此無直流電流流入柵極。
    要開通 MOSFET,必須對柵極施加高于額定柵極閾值電壓 Vth 的電壓。
    處于穩態開啟或關斷狀態時,MOSFET 柵極驅動基本無功耗(但是請注意交叉點附近,就是電壓下降與電流上升導致的功耗)。
    通過驅動器輸出看到的 MOSFET 柵源電容根據其內部狀態而有所不同。
    MOSFET 通常被用作頻率范圍從幾 kHz 到幾百 kHz 的開關器件。這點尤其需要注意。
    MOS管最基本的驅動電路
    如下所示為MOS管最為基本的驅動電路設計,R1為限流電阻,來限制柵極在剛開始時的充電電流大小,電阻的加入會使得MOS開啟速度減慢,但是可以減小EMC風險。
    R2電阻是放電電阻,一是當系統未加電控制時,該電阻可以泄放積累在柵極的電荷,防止靜電擊穿;二是當G極驅動為低電平時,泄放G極電荷,使得G極快速的變為0電位。
    這種驅動方式在實際中很常見,多見于直接使用控制器來驅動的方式,個人覺得也是最為實用的驅動方式。
    驅動邏輯就是高電平驅動開啟MOS管;低電平驅動關閉MOS管。
    MOS管基本驅動電路
    推挽電路驅動,推挽電路驅動主要是在需要外部電源時我們使用的,需要使用兩個三極管,請注意必須要NPN和PNP才可以。
    高電平時,上管NPN開啟,下管PNP關閉;此時MOS管狀態為驅動開啟;
    低電平時,上管NPN關閉,下管PNP開啟,此時MOS管狀態為驅動關閉。
    但是實際需要考慮晶體管完全開啟時的Vce電壓。
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