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  • 場效應晶體管的特點介紹
    • 發布時間:2021-08-12 18:19:17
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    場效應晶體管的特點介紹
    場效應晶體管
    什么是場效應晶體管?
    場效應晶體管(Field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元器件。場效應晶體管依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。
    場效應晶體管有時也被稱為單極性晶體管,相對應的是雙極性晶體管(Bipolar junction transistors,縮寫:BJT)。由于半導體材料的限制,以及一段時期內雙極性晶體管比場效應晶體管更容易生產制造,場效應晶體管的出現要比雙極性晶體管更晚,但事實上,「場效應晶體管」的概念是要比「雙極性晶體管」更早的。
    場效應晶體管的組成
    場效應晶體管由各種半導體構成,目前而言,硅是最常見的。大部分的場效應晶體管通過傳統的「塊體半導體制造技術」生產制造,使用單晶半導體硅片作為反應區或溝道。
    不常見體材料主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。
    有機場效應晶體管基于有機半導體,常常用有機柵絕緣體和電極。
    場效應晶體管的特點
    (1)它是電壓控制器件,通過柵源電壓來控制漏極電流;
    (2)輸入端電流極小,輸入電阻很大;
    (3)利用多數載流子導電,所以它的溫度穩定性比較好;
    (4)場效應晶體管組成的放大電路,其電壓放大系數會小于由三極管所組成的放大電路的電壓放大系數;
    (5)抗輻射能力強;
    (6)噪聲低。
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