防反接保護電路
通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。如下圖1所示：
圖1是一只串聯(lián)二極管保護系統(tǒng)不受反向極性影響，二極管有0.7V的壓降。這種接法簡單可靠，但當輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。
以輸入電流額定值達到2A，如選用Onsemi的快速恢復二極管 MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，這樣效率低，發(fā)熱量大，要加散熱器。
另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣鳎@樣電路就永遠有正確的極性。如下圖2所示：
圖2是一個橋式整流器，不論什么極性都可以正常工作，但是有兩個二極管導通，功耗是圖1的兩倍。
這些方案的缺點是，二極管上的壓降會消耗能量。輸入電流為2A時，圖1中的電路功耗為1.4W，圖2中電路的功耗為2.8W。
利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
MOS管型防反接保護電路
圖3利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路。由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFET Rds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
圖3 .NMOS管型防反接保護電路
極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯(lián)連接。保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管。
若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護電路中PMOS元件的襯底。
若是NMOS，其柵極和源極分別連接被保護電路的電源端和接地端，其漏極連接被保護電路中NMOS元件的襯底。
一旦被保護電路的電源極性反接，保護用場效應管會形成斷路，防止電流燒毀電路中的場效應管元件，保護整體電路。具體N溝道MOS管防反接保護電路電路如圖3示。
N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
正接時候，R1提供VGS電壓，MOS飽和導通；反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ實際損耗很小，2A的電流，功耗為(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散熱片。解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
圖4.使用N型功率MOS管的輸入防反接電路原理圖
圖5 .使用P型功率MOS管的輸入防反接電路原理圖
VZ1為穩(wěn)壓管防止柵源電壓過高擊穿MOS管。
NMOS管的導通電阻比PMOS的小，最好選NMOS。
NMOS管接在電源的負極，柵極高電平導通。
PMOS管接在電源的正極，柵極低電平導通。
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