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  • MOS管應(yīng)用電路與經(jīng)典電路分析
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-11-16 18:07:57
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    MOS管應(yīng)用電路與經(jīng)典電路分析
    MOS管應(yīng)用電路
    MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),也有照明調(diào)光?,F(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的需求。
    1,MOS管應(yīng)用電路:低壓應(yīng)用
    當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
    2,MOS管應(yīng)用電路:寬電壓應(yīng)用
    輸入電壓并不是一個(gè)固定值,它會隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí),如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足,引起導(dǎo)通不夠徹底,從而增加功耗。
    3,雙電壓應(yīng)用
    在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求,需要使用一個(gè)電路,讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下,圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求,而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動(dòng)IC,似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。有一個(gè)相對通用的電路滿足這三種需求。
    MOS管應(yīng)用電路
    MOS管應(yīng)用電路
    mos管電路經(jīng)典分析
    問題:此電路為什么會燒壞Mos管?
    MOS管應(yīng)用電路
    此電路是一個(gè)非常經(jīng)典的小電流MOS管驅(qū)動(dòng)電路,但LZ將之移到大電流應(yīng)用上,水土不服,出了點(diǎn)小問題。
    1.燒MOS管不是由于Q41沒有飽和所致,而是由于驅(qū)動(dòng)電流不足,驅(qū)動(dòng)大功率MOS管時(shí)(由于其柵極電容的存在),無法快速對其柵極電容充電,引起柵極電壓上升緩慢,切換功耗大大增大,引起燒MOS管。
    2.D41不能省,一般MOS管的柵極極限電壓為15-16V,此穩(wěn)壓管起保護(hù)MOS管作用,防止過高電壓(本電路去掉R42時(shí)可高達(dá)+30V?!)對MOS管的柵極沖擊引起擊穿損壞。
    3.R42不能省,起到限制光耦最大輸出電流,及對IN4744A的限流作用。由于光耦的最大輸出電流一般較小,過份減小R42加大光耦輸出電流,易引起光耦加速老化及損壞,因此,比較好的方法是在光耦輸出端用NPN三極管加一級射極跟隨器,放大輸出驅(qū)動(dòng)電流。另外,可在R45上并聯(lián)一只幾十至百皮皮法的小電容,起加速M(fèi)OS管的飽和。
    4.R43不能大幅增加,一般加大到10K為上限,其原因在于,當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),儲存一定驅(qū)動(dòng)電壓的柵極電容通過R43放電,最終將MOS管關(guān)斷,如R43太大,MOS管關(guān)斷時(shí)間增加,關(guān)斷速度減慢,引起關(guān)斷時(shí)的切換功耗大大增大,引起燒MOS管。當(dāng)然,最好的方法是在柵極加負(fù)壓,加速M(fèi)OS管關(guān)斷,但這樣成本會高些。
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