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  • 三極管的四種反向擊穿電壓的解釋
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-11-04 17:47:59
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    三極管的四種反向擊穿電壓的解釋
    1) V(BR)CBO
    e極開路,c-b結(jié)的反向擊穿電壓。此時(shí)流經(jīng)c-b極的是ICBO。當(dāng)反向電壓VCB增至一定程度時(shí),ICBO急劇增大,最后導(dǎo)致?lián)舸?/div>
    (2) V(BR)CEO--b極開c-e極之間的反向擊穿電壓。
    此時(shí)流經(jīng)c-e極的是ICEO。當(dāng)反向電壓VCE增加到ICEO開始上升時(shí)的VCE就是V(BR)CEO。應(yīng)該注意,在此情況下,當(dāng)集電結(jié)開始擊穿時(shí),IC增大,同時(shí)發(fā)射結(jié)分到的正向電壓增大,使e區(qū)注入b區(qū)的電子增多,IE增大。IE的增大又將使IC進(jìn)一步增大。所以,這里有一個(gè)培增效應(yīng),而最后使c-e極之間擊穿電壓V(BR)CEO要比V(BR)CBO小
    即V(BR)CEO<V(BR)CBO。
    (3) V(BR)CER和V(BR)CES--b-e極之間接電阻(R) 和短路(S) 時(shí)的V(BR)CE。
    在b-e極之間接電阻R后,發(fā)射結(jié)被分流。當(dāng)集電結(jié)反向電流ICBO流過b極時(shí),由于分流而使流過發(fā)射結(jié)的電流減少。所以,在上面(2) 中所說的倍增效應(yīng)減小,為了進(jìn)入擊穿狀態(tài),必須加大VCE。也就是說,V(BR)CER> V(BR)CEO。電阻R愈小,它對(duì)發(fā)射結(jié)的分流作用愈大,所以進(jìn)入擊穿狀態(tài)時(shí),所需的VCE愈大。當(dāng)R= 0并略去基區(qū)的體電阻rbb'則發(fā)射結(jié)相當(dāng)于短路。此肘V(BR)CBO近似等于V(BR)CES。
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