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mosfet管腳判別方法與區(qū)分MOS管的極詳解-MOS管發(fā)熱原因分析
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-06-01 16:41:04
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mosfet管腳判別方法與區(qū)分MOS管的極詳解-MOS管發(fā)熱原因分析
mosfet管腳判別-區(qū)分MOS管的極
區(qū)分MOS管極的方法與步驟如下:
1、MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方 。
G極,不用說比較好認(rèn)。S極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;D極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線的那邊。
mosfet管腳判別
mosfet管腳判別
2、他們是N溝道還是P溝道?
三個(gè)腳的極性判斷完后,接下就該判斷是P溝道還是N溝道了:當(dāng)然也可以先判斷溝道類型,再判斷三個(gè)腳極性。先判斷是什么溝道,再判斷三個(gè)腳極性。
mosfet管腳判別
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3、寄生二極管的方向如何判定?
接下來,是寄生二極管的方向判斷:它的判斷規(guī)則就是:N溝道,由S極指向D極;P溝道,由D極指向S極。
mosfet管腳判別
mosfet管腳判別
4、簡(jiǎn)單的判斷方法,上面方法不太好記,一個(gè)簡(jiǎn)單的識(shí)別方法是:想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的)不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:要么都由S指向D,要么都由D指向S。
mosfet管腳判別方法
柵極G的測(cè)定:用萬(wàn)用表R&TImes;100檔,測(cè)任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。
漏極D、源極S及類型判定:用萬(wàn)用表R&TImes;10kΩ檔測(cè)D、S問正反向電阻,正向電阻約0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí),紅表筆不動(dòng),黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:
a.若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?(0×10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。
b.若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動(dòng),改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時(shí)若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。
G極,不用說比較好認(rèn)。
S極,不論是p溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;
D極,不論是p溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線的那邊。
MOS管如何快速判斷與好壞及引腳性能
mosfet管腳判別好壞及性能詳解:
1、用10K檔,內(nèi)有15伏電池。可提供導(dǎo)通電壓。
2、因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管。
3、利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。
4、大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷。
5、大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞。
如果對(duì)新拿到的不明MOS管,可以通過測(cè)定來判斷腳極,只有準(zhǔn)確判定腳的排列,才能正確使用。
MOS管的發(fā)熱情況分析
1.電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)電路狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
2.頻率太高,主要是有時(shí)過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
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