本文主要講MOS管損毀原因，會從4個方面來講。希望對大家有所幫助。MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
1、MOS管損毀原因-在電源電壓方面
1）、過流-------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；
2）、過壓-------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；
3）、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；
2、MOS管損毀原因-在MOS管電源電壓方面
1）、漏源電壓過大，MOS管燒壞。現(xiàn)象：MOS管D、S兩端短路；
2）、漏源電流過大，MOS管燒壞。現(xiàn)象：MOS管D、S兩端短路；
3）、柵源電壓過大，MOS管燒壞。現(xiàn)象：MOS管G、D、S短路；
3、MOS管損毀原因-其他方面
1）、堵轉會使電機感應電動勢升高，使電機電流大增過流保護太遲鈍；
2）、同時導通；
3）、功率過大；
4）、散熱不足；
5）、頻率太高；
6）、MOS管內(nèi)阻未充分考慮，導致開關阻抗增大；
4、MOS管損毀原因-會對MOS管造成的影響
1）、MOS管吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響MOS管的功能和壽命。
2）、因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使MOS管不能工作（完全破壞）。
3）、因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使MOS管受傷，雖仍能工作，但是壽命受損。
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